PY32F403V8T6

的，若應(yīng)用不需要?jiǎng)t可繞過。 3.4 總線矩陣（Bus Matrix） 32位的multi-AHB總線矩陣將所有主設(shè)備（CPU、 DMA）和從設(shè)備（Flash、 RAM、 FMC、 AHB、 APB 外設(shè)）互連，確保了即使多個(gè)高速外設(shè)同時(shí)工作時(shí)，工作也能無(wú)縫、。 3.5 DMA控制器 該器件具有兩個(gè)通用雙端口 DMA（DMA1和DMA2），分別有7個(gè)和5個(gè)通道。它們能夠管理存儲(chǔ)器到 存儲(chǔ)器、外設(shè)到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸。它們具有用于APB/AHB外設(shè)的專用FIFO，支持突發(fā) 傳輸，其設(shè)計(jì)可提供較大外設(shè)帶寬（AHB/APB）。 這兩個(gè)DMA控制器支持循環(huán)緩沖區(qū)管理，當(dāng)控制器到達(dá)緩沖區(qū)末尾時(shí)，無(wú)需專門代碼。這兩個(gè)DMA 控制器還有雙緩沖特性，可自動(dòng)使用和切換兩個(gè)存儲(chǔ)器緩沖，而不需要特殊代碼。 每個(gè)數(shù)據(jù)流都與專用的硬件DMA請(qǐng)求相連，同時(shí)支持軟件觸發(fā)。通過軟件進(jìn)行相關(guān)配置，并且數(shù)據(jù)源 和數(shù)據(jù)目標(biāo)之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量不受限制。 3.6 嵌入式Flash 器件內(nèi)置了高達(dá)512K字節(jié)的Flash，可用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)。 3.7 片內(nèi)RAM 器件內(nèi)置了高達(dá)64K字節(jié)的RAM。。 3.8 循環(huán)冗余校驗(yàn)計(jì)算單元（CRC） CRC（循環(huán)冗余校驗(yàn)）計(jì)算單元使用一個(gè)固定的多項(xiàng)式發(fā)生器從一個(gè)32位的數(shù)據(jù)字中產(chǎn)生CRC 碼。 在眾多的應(yīng)用中，基于CRC的技術(shù)還常用來(lái)驗(yàn)證或存儲(chǔ)的完整性。根據(jù) EN/IEC60335-1 標(biāo) 準(zhǔn)的規(guī)定，這些技術(shù)提供了驗(yàn)Flash完整性的方法。CRC 計(jì)算單元有助于在運(yùn)行期間計(jì)算軟件的簽 名，并將該簽名與鏈接時(shí)生成并存儲(chǔ)在*存儲(chǔ)單元的參考簽名加以比較。 3.9 時(shí)鐘，復(fù)位和電源管理 ? 片內(nèi)8MHz高精度HSI RC時(shí)鐘和外部4~32MHz HSE晶振時(shí)鐘 ? 片內(nèi)40KHz LSI RC時(shí)鐘和外部32.768KHz LSE晶振時(shí)鐘 ? 可配置PLL時(shí)鐘 ? 1.7 ~ 3.6 V供電 ? 供電監(jiān)控: POR (上電復(fù)位), PDR (下電復(fù)位), PVD(可編程電壓監(jiān)測(cè)) ? VCC 1.7V ~ 3.6V，VCC管腳提供I/O管腳及內(nèi)部LDO的供電 ? VSSA、VCCA 1.7V ~ 3.6V，給ADC、復(fù)位模塊、RC Oscillator、PLL等模塊供電 ? VBAT 1.6V ~ 3.6V，備份電源給RTC、32K LSE、備份寄存器供電，在VCC掉電時(shí)通過芯片內(nèi)的 電源開關(guān)切換 時(shí)鐘控制單元（CCU）提供的時(shí)鐘有高速時(shí)鐘有內(nèi)部高速時(shí)鐘HSI和外部高速時(shí)鐘HSE，低功耗應(yīng)用 時(shí)的低速時(shí)鐘有內(nèi)部低速時(shí)鐘LSI，外部低速時(shí)鐘LSE，鎖相環(huán)時(shí)鐘PLL。系統(tǒng)時(shí)鐘的選擇在啟動(dòng)